bc8456bdw-aq, BC8457BDW-AQ bc8456bdw-aq, BC8457BDW-AQ smd general purpose npn/pnp transistors smd universal-npn/pnp-transistoren i c = 100 ma h fe = 200...450 t jmax = 150c v ceo = 45 v, 65 v p tot = 200 mw version 2018-04-04 sot-363 dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification aec-q101 qualified 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken aec-q101 qualifiziert 1 ) features two complementary transistors in one package general purpose compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten zwei komplement?r-transis- toren in einem geh?use universell anwendbar konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einba ubedingungen msl = 1 dual transistors t1 1 = e1 2 = b1 6 = c1 npn t2 3 = c2 4 = e2 5 = b2 pnp type code bc8456bdw-aq 1k BC8457BDW-AQ 1k maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) bc8456bdw-aq BC8457BDW-AQ collector-emitter-voltage C kollektor-emitter-spann ung b open v ceo 65 v 45 v collector-base-voltage C kollektor-basis-spannung e o pen v cbo 80 v 50 v emitter-base-voltage C emitter-basis-spannung c open v ebo 6 v power dissipation C verlustleistung p tot 200 mw 3 ) collector current C kollektorstrom dc i c 100 ma peak collector current C kollektor-spitzenstrom i cm 200 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t s t j -55...+150c -55...+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book aec-q101 qualification has not been done for this p art, therefore the data sheet is preliminary and su bject to be changed. bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches die aec-q101 qualifikation fr dieses bauteil wurde noch nicht durchgefhrt, deshalb ist das datenblat t vorl?ufig und kann noch ge?ndert werden. 2 t a = 25c and per transistor, unless otherwise specifi ed. positive sign valid for the npn type, for the pn p type set a C t a = 25c und pro transistor, wenn nicht anders angegeb en. positives vorzeichen gilt fr npn-typ, fr pnp ist ein ?C zu setzen 3 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 2.4 2 x 0.65 5 6 4 1.25 0.1 0.9 0.1 2 0.1 2.1 0.1 type code 3 2 1 t2 t1 5 6 4 3 2 1 pb e l v w e e e r o h s halogen free
bc8456bdw-aq, BC8457BDW-AQ characteristics kennwerte t j = 25c min. typ. max. dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis v ce = 5 v i c = 2 ma h fe 200 C 450 collector-emitter saturation voltage C kollektor-s? ttigungsspannung 1 ) i c = 10 ma i b = 0.5 ma i c = 100 ma i b = 5 ma v cesat C C C C 250 mv 600 mv base-emitter-voltage C basis-emitter-spannung 1 ) v ce = 5 v i c = 2 ma i c = 10 ma v be 580 mv C C C 700 mv 770 mv collector-base cutoff current C kollektor-basis-res tstrom v cb = 30 v e open i cbo C C 15 na emitter-base cutoff current C emitter-basis-reststro m v eb = 5 v c open i ebo C C 100 na gain-bandwidth product C transitfrequenz v ce = 5 v, i c = 10 ma, f = 100 mhz f t 100 mhz C C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazi t?t v cb = 10 v, i e =i e = 0, f = 1 mhz c cbo C C 4.5 pf thermal resistance junction to ambient (per device) w?rmewiderstand sperrschicht C umgebung (pro bauteil ) r tha < 420 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) 2 verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 2
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