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2013-11-06 1 20 1 3-1 1-0 6 infrared emitter (850 nm) and green gap-led (570 nm) infrarot sender (850 nm) und grne gap-led (570 nm) version 1.0 sfh 7251 ordering information bestellinformation features: besondere merkmale: ? smt package with ir emitter (850 nm) and green emitter (570 nm) ? smt-geh?use mit ir-sender (850 nm) und grnem sender (570 nm) ? suitable for smt assembly ? geeignet fr smt-bestckung ? available on tape and reel ? gegurtet lieferbar ? emitter and detector can be controlled separately ? sender und empf?nger getrennt ansteuerbar applications anwendungen ? data transmission ? datenbertragung ? remote control ? ger?tefernsteuerung ? infrared interface ? infrarotschnittstelle notes hinweise depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in iec 60825-1 and iec 62471. je nach betriebsart emittieren diese bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare infrarot-strahlung, die gef?hrlich fr das menschliche auge sein kann. produkte, die diese bauteile enthalten, mssen gem?? den sicherheitsrichtlinien der iec-normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. type: package: ordering code typ: geh?use: bestellnummer sfh 7251 smt multi topled ? q65111a5040
2013-11-06 2 version 1.0 sfh 7251 maximum ratings grenzwerte parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit operating and storage temperature range betriebs- und lagertemperatur t op ; t stg -40 ... 100 c reverse voltage sperrspannung v r 5v thermal resistance junction - ambient, mounted on pc-board (fr4) 1) page 14 w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung, bei montage auf fr4 platine 1) seite 14 r thja 700 k / w ired forward current durchlassstrom i f (dc) 70 ma surge current sto?strom (t p 10 s, d = 0) i fsm 0.7 a total power dissipation verlustleistung p tot 140 mw thermal resistance junction - ambient, mounted on pc-board (fr4) 2) page 14 w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung, bei montage auf fr4 platine 2) seite 14 r thja 500 k / w electrostatic discharge (hbm) elektrostatische entladung (hbm) esd 2 kv led forward current durchlassstrom i f (dc) 50 ma surge current sto?strom (t p 10 s, d = 0) i fsm 0.1 a
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 3 characteristics (t a = 25 c) kennwerte total power dissipation verlustleistung p tot 135 mw thermal resistance junction - ambient, mounted on pc-board (fr4) 2) page 14 w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung, bei montage auf fr4 platine 2) seite 14 r thja 500 k / w electrostatic discharge (hbm) elektrostatische entladung (hbm) esd 2 kv note : the stated maximum ratings refer to one chip, unless otherwise specified. anm : die angegebenen grenzdaten gelten fr einen chip, wenn nicht anders angegeben. parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit ired emission wavelength zentrale emissionswellenl?nge (i f = 70 ma) (typ) peak 860 nm spectral bandwidth at 50% of i max spektrale bandbreite bei 50% von i max (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) ? 30 nm half angle halbwinkel (typ) ? 60 dimensions of active chip area abmessungen der aktiven chipfl?che (typ) l x w 0.2 x 0.2 mm x mm rise and fall time of i e ( 10% and 90% of i e max ) schaltzeit von i e ( 10% und 90% von i e max ) (i f = 70 ma, r l = 50 ? ) (typ) t r , t f 12 ns forward voltage durchlassspannung (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ (max)) v f 1.6 ( 2) v parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2013-11-06 4 version 1.0 sfh 7251 forward voltage durchlassspannung (i f = 500 ma, t p = 100 s) (typ (max)) v f 2.4 ( 3) v reverse current sperrstrom (v r = 5 v) i r not designed for reverse operation a total radiant flux gesamtstrahlungsfluss (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) e 40 mw radiant intensity in axial direction strahlst?rke in achsrichtung (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (min) i e, min 6.3 mw / sr temperature coefficient of i e or e temperaturkoeffizient von i e bzw. e (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc i -0.5 % / k temperature coefficient of v f temperaturkoeffizient von v f (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc v -0.7 mv / k temperature coefficient of wavelength temperaturkoeffizient der wellenl?nge (i f = 70 ma, t p = 20 ms) (typ) tc 0.3 nm / k led peak emission wavelength max. der spektralen emission (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) peak 572 nm dominant wavelength dominantwellenl?nge (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) dom 570 nm spectral bandwidth at 50% of i max spektrale bandbreite bei 50% von i max (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) ? 18 nm half angle halbwinkel (typ) ? 60 dimensions of active chip area abmessungen der aktiven chipfl?che (typ) l x w 0.3 x 0.3 mm x mm parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 5 rise and fall times of i e ( 10% and 90% of i e max ) schaltzeiten von i e ( 10% und 90% von i e max ) (i f = 70 ma, r l = 50 ? ) (typ) t r / t f 400 ns forward voltage durchlassspannung (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ (max)) v f 2.1 ( 2.5) v reverse current sperrstrom (v r = 12 v) (typ (max)) i r 0.2 ( 10) a luminous intensity lichtst?rke (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (min) i v > 63 mcd temperature coefficient of i e or e temperaturkoeffizient von i e bzw. e (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) tc i -1.2 % / k temperature coefficient of v f temperaturkoeffizient von v f (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) tc v -1.3 mv / k temperature coefficient of peak temperaturkoeffizient von peak (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) tc peak 0.3 nm / k temperature coefficient of dom temperaturkoeffizient von dom (i f = 20 ma, t p = 20 ms) (typ) tc dom 0.11 nm / k parameter symbol values unit bezeichnung symbol werte einheit
2013-11-06 6 version 1.0 sfh 7251 diagrams ired diagramme ired relative spectral emission 3) page 14 relative spektrale emission 3) seite 14 (typ) i rel = f( ), t a = 25c forward current 3) page 14 durchlassstrom 3) seite 14 i f = f(v f ), single pulse, t p = 100 s, t a = 25c 700 0 nm % ohf04132 20 40 60 80 100 950 750 800 850 i rel ohf03826 f i 10 -4 0.5 1 1.5 2 2.5 v3 10 0 a 0 f v -1 10 5 5 10 -2 -3 5 10
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 7 radiant intensity 3) page 14 strahlst?rke 3) seite 14 i e / i e (70 ma) = f(i f ), single pulse, t p = 25 s, t a = 25c permissible pulse handling capability zul?ssige pulsbelastbarkeit i f = f(t p ), t a = 25 c, duty cycle d = parameter max. permissible forward current max. zul?ssiger durchlassstrom i f, max = f(t a ) ohf04406 i f ma 10 5 10 5 10 10 3 1 10 -2 10 -3 10 5 10 10 5 -1 5 0 e (70 ma) i e i 012 0 -5 f i a t p s ohf03733 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 10 t t t d = p p t i f 0.05 0.5 0.1 0.3 0.005 0.01 0.02 = d 0.2 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 1 0 0 ?c t i f ma ohf03732 a 20 40 60 80 100 120 10 20 30 40 50 60 70 80
2013-11-06 8 version 1.0 sfh 7251 diagrams led diagramme led forward current 3) page 14 durchlassstrom 3) seite 14 i f = f(v f ), single pulse, t p = 100 s, t a = 25c relative luminous intensity 3) page 14 relative lichtst?rke 3) seite 14 i v / i v (20 ma) = f(i f ), t a = 25 c
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 9 permissible pulse handling capability zul?ssige pulsbelastbarkeit i f = f(t p ), t a = 25 c, duty cycle d = parameter max. permissible forward current max. zul?ssiger durchlassstrom i f, max = f(t a ) relative spectral emission - v( ) = standard eye response curve 3) page 14 relative spektrale emission - v( ) = spektrale augenempfindlichkeit 3) seite 14 i rel = f ( ); t a = 25 c; i f = 20 ma 2 1 0 -1 -2 -3 -4 -5 10 10 10 10 10 t p 10 10 s 10 0.04 t t a i f d = i p t f p t ohf05629 1 0.5 0.01 0.05 0.1 0.2 0.02 0.005 d = 0.06 0.08 0.10 0.12 0.05 0.07 0.09 0 0 ?c t a f i ma ohf05628 20 40 60 80 100 10 20 30 40 50 60 % rel ohl01098 100 80 60 40 20 0 400 450 500 550 600 650 700 nm i green v
2013-11-06 10 version 1.0 sfh 7251 ired radiation characteristics / led directional characteristics 3) page 14 ired abstrahlcharakteristik / led winkeldiagramm 3) seite 14 i rel = f( ? ) / s rel = f( ? ) package outline ma?zeichnung dimensions in mm (inch). / ma?e in mm (inch). 0 0.2 0.4 1.0 0.8 0.6 ? 1.0 0.8 0.6 0.4 0? 10? 20? 40? 30? ohl01660 50? 60? 70? 80? 90? 100? 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120?
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 11 pinning anschlussbelegung pin description anschluss beschreibung 1 cathode / kathode (850 nm) 2anode / anode (850 nm) 3 cathode / kathode (570 nm) 4anode / anode (570 nm) package smt multi topled, white, clear resin geh?use smt multi topled, wei?, klarer verguss recommended solder pad empfohlenes l?tpaddesign
2013-11-06 12 version 1.0 sfh 7251 reflow soldering profile reflow-l?tprofil preconditioning: jedec level 2 acc. to jedec j-std-020d.01 0 0 s oha04525 50 100 150 200 250 3 00 50 100 150 200 250 3 00 t t ?c s t t p t t p 240 ?c 217 ?c 245 ?c 25 ?c l oha04612 profile feature profil-charakteristik ramp-up rate to preheat * ) 25 ? to 150 ? 2 3 k/ s time t s t s min to t s max t s t l t p t l t p 100 120 60 10 20 3 0 8 0 100 217 2 3 245 260 3 6 time 25 ? to t p time within 5 ? of the s pecified peak temperature t p - 5 k ramp-down rate * t p to 100 ? all temperature s refer to the center of the package, mea s ured on the top of the component * s lope calculation d t/ d t: d t max. 5 s ; fulfillment for the whole t-range ramp-up rate to peak * ) t s max to t p liquidu s temperature peak temperature time above liquidu s temperature symbol symbol unit einheit pb-free (snagcu) assembly minimum maximum recommendation k/ s k/ s s s s s ? ? 4 8 0
version 1.0 sfh 7251 2013-11-06 13 disclaimer disclaimer attention please! the information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. terms of delivery and rights to change design reserved. due to technical requirements components may contain dangerous substances. for information on the types in question please contact our sales organization. if printed or downloaded, please find the latest version in the internet. packing please use the recycling operators known to you. we can also help you ? get in touch with your nearest sales office. by agreement we will take packing material back, if it is sorted. you must bear the costs of transport. for packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of osram os. *) a critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. if they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. bitte beachten! lieferbedingungen und ?nderungen im design vorbehalten. aufgrund technischer anforderungen k?nnen die bauteile gefahrstoffe enthalten. fr weitere informationen zu gewnschten bauteilen, wenden sie sich bitte an unseren vertrieb. falls sie dieses datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden sie die aktuellste version im internet. verpackung benutzen sie bitte die ihnen bekannten recyclingwege. wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden sie sich bitte an das n?chstgelegene vertriebsbro. wir nehmen das verpackungsmaterial zurck, falls dies vereinbart wurde und das material sortiert ist. sie tragen die transportkosten. fr verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mssen, stellen wir ihnen die anfallenden kosten in rechnung. bauteile, die in lebenserhaltenden apparaten und systemen eingesetzt werden, mssen fr diese zwecke ausdrcklich zugelassen sein! kritische bauteile* drfen in lebenserhaltenden apparaten und systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches einverst?ndnis von osram os vorliegt. *) ein kritisches bauteil ist ein bauteil, das in lebenserhaltenden apparaten oder systemen eingesetzt wird und dessen defekt voraussichtlich zu einer fehlfunktion dieses lebenserhaltenden apparates oder systems fhren wird oder die sicherheit oder effektivit?t dieses apparates oder systems beeintr?chtigt. **) lebenserhaltende apparate oder systeme sind fr (a) die implantierung in den menschlichen k?rper oder (b) fr die lebenserhaltung bestimmt. falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die gesundheit und das leben des patienten in gefahr ist.
2013-11-06 14 version 1.0 sfh 7251 glossary glossar 1) both chips on 1) beide chips betrieben 2) only one chip on 2) nur ein chip betrieben 3) typical values: due to the special conditions of the manufacturing processes of led, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. these do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. if requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) typische werte: wegen der besonderen prozessbedingungen bei der herstellung von led k?nnen typische oder abgeleitete technische parameter nur aufgrund statistischer werte wiedergegeben werden. diese stimmen nicht notwendigerweise mit den werten jedes einzelnen produktes berein, dessen werte sich von typischen und abgeleiteten werten oder typischen kennlinien unterscheiden k?nnen. falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer verbesserungen, werden diese typischen werte ohne weitere ankndigung ge?ndert.
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