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A102A 79L12 V1528 02228 AD548B SB220 1N6269A 1N582
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  zmm1 ... zmm75 zmm1 ... zmm75 smd planar zener diodes smd planar zener-dioden p tot = 500 mw v z = 1 v ... 75 v t jmax = 175c version 2016-06-07 ~ sod-80c glass minimelf dimensions - ma?e [mm] typical applications voltage stabilization and regulators (for overvoltage protection C uni- and bi-directional C see tvs diodes tgl34 series) commercial grade 1 ) typische anwendungen spannungsstabilisierung und -regler (fr berspannungsschutz C uni-und bidirektional C siehe tvs-diodenreihe tgl34) standardausfhrung 1 ) features sharp zener voltage breakdown low leakage current compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten scharfer zenerspannungsabbruch niedriger sperrstrom konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 ) mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 2500 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.04 g gewicht ca. solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 marking: one blue ring denotes cathode and z-diode family the type numbers are noted on the label on the reel only kennzeichnung: ein blauer ring kennzeichnet kathode und z-dioden-familie die typenbezeichnungen sind nur auf dem rollenaufkleber vermerkt standard zener voltage tolerance is graded to the international e 24 (~ 5%) standard. other voltage tolerances and higher zener voltages on request. die toleranz der zener-spannung ist in der standard-ausfhrung gestuft nach der internationalen reihe e 24 (~ 5%). andere toleranzen oder h?here arbeitsspannungen auf anfrage. maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) power dissipation C verlustleistung t a = 25c p tot 500 mw 3 ) operating junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c characteristics kennwerte thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 300 k/w 2 ) thermal resistance junction to terminal w?rme widerstand sperrschicht C anschluss r tht < 240 k/w 4 5 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t j = 25c unless otherwise specified C t j = 25c wenn nicht anders angegeben 3 mounted on p.c. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 25 mm 2 kupferbelag (l?tpad an jedem anschluss 4 tested with pulses C gemessen mit impulsen 5 the zmm1 is a diode operated in forward. hence, the index of all parameters should be f instead of z. the cathode, indicated by a band, has to be connected to the negative pole. die zmm1 ist eine in durchlass betriebene si-diode. daher ist bei allen kenn- und grenzwerten der index f anstatt z zu setzten. die mit einem balken gekennzeichnete kathode ist mit dem minuspol zu verbinden. ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 0 . 3 0 . 3 3 . 5 0 . 1
zmm1 ... zmm75 characteristics (t j = 25c unless otherwise specified) kennwerte (t j = 25c wenn nicht anders spezifiziert) type typ zener voltage 3 ) zener-spannung 3 ) i z = 5 ma dynamic resistance diff. widerstand r zj [] at f = 1 khz temp. coeffic. of z-voltage der z-spannung reverse volt. sperrspanng. i r = 100 na adm. z-current 2 ) zul. z-strom 2 ) t a = 25c v zmin [v] v zmax [v] i z = 5 ma i z = 1 ma vz [10 -4 /c] v r [v] i zmax [ma] zmm1 4 ) 0.71 0.82 < 8 < 50 -26...-23 C 400 zmm2.4 2.28 2.56 < 85 < 600 -9...-6 1 (50 a) 195 zmm2.7 2.5 2.9 < 85 < 600 -9...-6 1 (10 a) 172 zmm3.0 2.8 3.2 < 85 < 600 -8...-5 1 (4 a) 156 zmm3.3 3.1 3.5 < 85 < 550 -8...-5 1 (2 a) 143 zmm3.6 3.4 3.8 < 85 < 550 -8...-5 1 (2 a) 132 zmm3.9 3.6 4.2 < 85 < 550 -8...-5 1 (2 a) 119 zmm4.3 4.0 4.6 < 75 < 500 -6...-3 1 (1 a) 109 zmm4.7 4.4 5.0 < 60 < 500 -5...+2 1 (0.5 a) 100 zmm5.1 4.8 5.4 < 35 < 500 -2...+2 1 93 zmm5.6 5.2 6.0 < 25 < 450 -5...+5 1 83 zmm6.2 5.8 6.6 < 10 < 200 +3...+6 2 76 zmm6.8 6.4 7.2 < 8 < 150 +3...+7 3 69 zmm7.5 7.0 7.9 < 7 < 50 +3...+7 5 63 zmm8.2 7.7 8.7 < 7 < 50 +3...+8 6 57 zmm9.1 8.5 9.6 < 10 < 50 +3...+9 7 52 zmm10 9.4 10.6 < 15 < 70 +3...+10 7 47 zmm11 10.4 11.6 < 20 < 70 +3...+11 8 43 zmm12 11.4 12.7 < 20 < 90 +3...+11 9 39 zmm13 12.4 14.1 < 26 < 110 +3...+11 10 35 zmm15 13.8 15.6 < 30 < 110 +3...+11 11 32 zmm16 15.3 17.1 < 40 < 170 +3...+11 12 29 zmm18 16.8 19.1 < 50 < 170 +3...+11 13 26 zmm20 18.8 21.2 < 55 < 220 +3...+11 15 24 zmm22 20.8 23.3 < 55 < 220 +4...+12 16 21 zmm24 22.8 25.6 < 70 < 220 +4...+12 18 20 zmm27 25.1 28.9 < 80 < 250 +4...+12 20 17 zmm30 28 32 < 80 < 250 +4...+12 22 16 zmm33 31 35 < 80 < 250 +4...+12 24 14 zmm36 34 38 < 90 < 250 +4...+12 27 13 i z = 2.5 ma i z = 2.5 ma i z = 0.5 ma zmm39 37 41 < 90 < 300 +4...+12 30 12 zmm43 40 46 < 100 < 500 +4...+12 33 11 zmm47 44 50 < 110 < 600 +4...+12 36 10 ZMM51 48 54 < 125 < 700 +4...+12 39 9 zmm56 52 60 < 135 < 700 +4...+12 43 8 zmm62 58 66 < 150 < 1000 +4...+12 47 8 zmm68 64 72 < 200 < 1000 +4...+12 51 7 zmm75 70 79 < 250 < 1000 +4...+12 56 6 2,3,4 2,3,4 notes see previous page C fu?noten siehe vorhergehende seite 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
zmm1 ... zmm75 1 disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 mounted on p.c. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal montage auf leiterplatte mit 25 mm 2 kupferbelag (l?tpad an jedem anschluss ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 3 10 1 10 3 -1 10 10 2 [ma] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0 v f 0.4 0.6 0.8 1.0 [v] 1.4 t = 100c j t = 25c j [pf] [v] c j v z t = 25c f = 1.0 mhz j v = 1v r v = 2v r junction capacitance vs. zener voltage (typical) sperrschichtkapazit?t in abh. v.d. zenerspg. (typ.) v = 2v r v = 1v r 0 2 3 4 5 6 7 8 10 [v] v z [ma] 50 150 0 100 i z typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 i zmax t = 25c j i = 5 ma z 2.7 3.3 3.8 4.7 18 24 30 36 43 51 62 56 68 75 t = 25c j i zmax typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen 10 120 100 80 60 40 20 0 [%] p tot power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0


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