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? ???? ? %'" %'" %'" %'" ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 10 100 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 series gate impedance r g ( ) switching time t ( s) fig.7- series gate impedance vs. switching time (typical) v cc =300v i c =200a v g = 15v t c =25 tf tr ton toff 01234 0 50 100 150 200 250 300 350 400 forward voltage v f (v) forward current i f (a) fig.8- forward characteristics of free wheeling diode (typical) t c =25 t c =125 0 200 400 600 800 1000 1200 5 10 20 50 100 200 500 -di/dt (a/ s) peak reverse recovery current i rrm (a) reverse recovery time trr (ns) fig.9- reverse recovery characteristics (typical) i rrm trr i f =200a t c =25 0 200 400 600 800 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000 collector to emitter voltage v ce (v) collector current i c (a) fig.10- reverse bias safe operating area (typical) r g =3.6 v ge = 15v t c Q 125 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 110 1 1x10 -3 2x10 -3 5x10 -3 1x10 -2 2x10 -2 5x10 -2 1x10 -1 2x10 -1 5x10 -1 time t (s) transient thermal impedance rth (j-c) ( /w) fig.11- transient thermal impedance t c =25 1 shot pulse frd igbt

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