shantou huashan electronic devices co.,ltd . H5551 n p n s i l i c o n t r a n s i s t o r ? amplifier transist o r collector -em itter v o ltage:vceo=160v . collectord i ssipation:pc(m ax)=625m w 1 d em itter ? e 2 d base ? b 3 d co lle ctor ? c t o -92 ? absolute maximum ra tings ? t a =25 ??? t stg ?a?a s t orage t e m p era t ure ?-?-?- ?-?-?-?-?- ?-?- -55~150 ?? t j ?a?a junction t e m p erature ?-?-?-?-?-?-?-?-?- ?-?-?-?- 150 ?? p c ?a?a col l ecto r dissip ation ?- ?-?-?- ?-?-?- ?-?- ?-?-?- ?- 625mw v cbo ?a?a collector -base v o ltage ?-?- ?-?-?-?-?- ?-?-?-?-?- 1 80v v ceo ?a?a collect or -em itter v o lta ge ?-?- ?-?-?-?-?-?-?-?-?- 160 v v eb o ?a?a em i tte r - b a se v o lt age ?- ?-?-?- ?-?- ?-?-?- ?-?- ?- 6v i c ?a?a collector current ?- ?-?-?-?-?- ?-?-?-?-?- ?-?-?-?- 60 0m a ? electrical characteristics ? t a =25 ??? sy m bol characteristics min ty p max un it t e st conditions bv cbo collector -base breakdow n v o ltage 1 8 0 v i c =100 | a, i e =0 bv ceo collector -em itter breakdown v o ltage 1 6 0 v i c =1m a , i b =0 bv ebo em itter - base breakdown v o ltage 6 v i e =10 | a ? i c =0 i cbo collector cut-of f current 5 0 n a v cb =120v , i e =0 i ebo em itter - base cut-of f current 5 0 n a v eb =4v , i c =0 h fe ? 1 ? dc current gain 8 0 v ce =5v , i c =1m a h fe ? 2 ? 8 0 2 8 0 v ce =5v , i c =10m a h fe ? 3 ? 3 0 v ce =5v , i c =50m a v ce(sat1) collector - em itter saturation v o ltage 0.15 v i c =10m a, i b =-1m a v ce(sat2) 0 . 2 v i c =50m a, i b =5m a v be(sat1) base-em itter saturation v o ltage 1 v i c =10m a, i b =1m a v be(sat2) 1 v i c =50m a, i b =5m a , f t current gain-bandwidth product 1 0 0 3 0 0 m h z v ce =10v , i c =10m a f=100mhz
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