technische information / technical information igbt-module igbt-modules bym 200 b 170 dn2 vorl?ufige daten preliminary data h?chstzul?ssige werte / maximum rated values elektrische eigenschaften / electrical properties sperrspannung der diode diode rerverse voltage t vj = 25c v ces 1700 v dauergleichstrom dc forward current t c = 80 c i f 200 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forward current tp = 1 ms i frm 400 a grenzlastintegral der diode i 2 t - value, diode v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c i 2 t 14,5 k a 2 s isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 4,0 kv charakteristische werte / characteristic values diode / diode min. typ. max. durchla?spannung i f = 200a, v ge = 0v, t vj = 25c v f - 2,2 2,6 v forward voltage i f = 200a, v ge = 0v, t vj = 125c - 2,0 - v rckstromspitze i f = 200a, - di f /dt = 3000a/s peak reverse recovery current v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 25c i rm - 130 - a v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 125c - 190 - a sperrverz?gerungsladung i f = 200a, - di f /dt = 3000a/s recovered charge v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 25c q r - 22 - as v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 125c - 50 - as abschaltenergie pro puls i f = 200a, - di f /dt = 3000a/s reverse recovery energy v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 25c e rec - 10 - mws v r = 900v, v ge = -15v, t vj = 125c - 20 - mws prepared by: alfons wiesenthal date of publication: 2002-11-25 approved by: christoph lbke revision: 2.2 1(4) db_bym200b170dn2_2.2.xls
technische information / technical information igbt-module igbt-modules bym 200 b 170 dn2 vorl?ufige daten preliminary data thermische eigenschaften / thermal properties min. typ. max. innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module paste = 1 w/m*k / grease = 1 w/m*k r thck - 0,012 - k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj max - - 150 c betriebstemperatur operation temperature t vj op -40 - 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 - 125 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix innere isolation internal insulation al 2 o 3 kriechstrecke creepage distance 20 mm luftstrecke clearance 11 mm cti comperative tracking index 425 anzugsdrehmoment f. mech. befestigung mounting torque anzugsdrehmoment f. elektr. anschlsse terminal connection torque gewicht weight g 340 g mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. anschlsse / terminals m6 m - schraube / screw m6 nm nm - m 36 25 0,150 k/w diode/diode, dc r thjc -- 2(4) db_bym200b170dn2_2.2.xls
technische information / technical information igbt-module igbt-modules bym 200 b 170 dn2 vorl?ufige daten preliminary data i f [a] v f [v] 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 tvj = 25c tvj = 125c durchla?kennlinie der inversdiode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of inverse diode (typical) 3(4) db_bym200b170dn2_2.2.xls
technische information / technical information bym 200 b 170 dn2 vorl?ufige daten preliminary data 4(4) db_bym200b170dn2_2.2.xls
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