View SFH409-2_1307599.PDF datasheet online --- IC-ON-LINE

Datasheet File OCR Text:

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
SFH 409
Area not flat
0.7 0.4
0.6 0.4
5.2 4.5
2.54 mm spacing
0.8 0.4
4.1 3.9
4.0 3.6
Approx. weight 0.3 g
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlassigkeit q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gruppiert lieferbar q Gehausegleich mit SFH 309, SFH 487 Anwendungen
q Lichtschranken fur Gleich- und
Features q GaAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q High pulse handling capability q Available in groups q Same package as SFH 309, SFH 487 Applications
q Photointerrupters q IR remote control of various equipment
Wechsellichtbetrieb q IR Fernsteuerungen
Typ Type SFH 409 SFH 409-1
1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P860 Q62702-P1001 Q62702-P1002
Gehause Package 3-mm-LED-Gehause (T 1), grau eingefarbt, Anschlusse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Anschlu 3 mm LED package (T 1), grey-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10''), cathode marking: short lead
SFH 409-2
1) 1)
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8 1.2 29 6.3 5.9 27 Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487)
o3.1 o2.9
(3.5) Chip position
0.6 0.4
GEX06250
SFH 409
Grenzwerte (TA = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 100 5 100 3 165 450 Einheit Unit C C V mA A mW K/W
Top; Tstg Tj VR IF IFSM Ptot RthJA
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 m A, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipflache Active chip area Abmessungen der aktive Chipflache Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflache bis Linsenscheitel Distance chip surface to lens top Kapazitat, VR = 0 V Capacitance Symbol Symbol peak Wert Value 950 Einheit Unit nm
55
nm
20 0.09 0.3 x 0.3 2.6 25
Grad deg. mm2 mm mm pF
A LxB LxW H Co
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 409
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von peak, IF = 100 mA Temperature coefficient of peak, IF = 100 mA Symbol Symbol Wert Value 1 Einheit Unit s
tr, tf
VF VF IR
1.30 ( 1.5) 1.9 ( 2.5) 0.01 ( 1)
V V A
e
15
mW
TCI
- 0.55
%/K
IF = 100 mA
TCV TC
- 1.5 + 0.3
mV/K nm/K
Gruppierung der Strahlstarke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstarke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s
1) 1)
Symbol SFH 409
Werte Values SFH 409-11) SFH 409-2
Einheit Unit
Ie Ie typ.
6.3 -
6.3 ... 12.5 75
> 10 120
mW/sr mW/sr
Nur auf Anfrage lieferbar. Available only on request.
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 409
Relative spectral emission Irel = f ()
100 %
OHR01938
Radiant intensity
Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR00864
Single pulse, tp = 20 s
e e (100 mA) 10 1
Max. permissible forward current IF = f (TA)
120
OHR00883
F mA
100
rel
80
80
60
R thjA = 450 K/W
60
40
10 0
40
20
20
0 880
920
960
1000
nm
1060
10 -1 10 -2
10 -1
10 0
A F
10 1
0
0
20
40
60
80
100 C 120 TA
Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 s
10 1 A
OHR01041
Permissible pulse handling capability IF = f (), TA = 25 C, duty cycle D = parameter
10 4
OHR00865
F
F mA 5
D = 0.005
typ. max.
D=
T
F
T
10 0
0.01 0.02 10
3
0.05 0.1 0.2
10 -1
5
0.5 DC 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 0 1.0
10 -2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5 VF
20 10
Radiation characteristics Irel = f ()
40 30
OHR01887
50
0.8 60
0.6
70
0.4
80 90
0.2 0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01

▲Up To Search▲

Price & Availability of SFH409-2

	To Download SFH409-2 Datasheet File
If you can't view the Datasheet, Please click here to try to view without PDF Reader .