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| Datasheet File OCR Text: |
| SFH 300 SFH 300 FA . PN-Silizium-Fototransistor N Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Features q Especially suitable for applications from Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300) und bei 880 nm (SFH 300 FA) q Hohe Linearitat q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Computer-Blitzlichtgerate q Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" 420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of 880 nm (SFH 300 FA) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Computer-controlled flashes q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Semiconductor Group 240 10.95 feof6652 feo06652 SFH 300 SFH 300 FA Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 300 (*BP 103 B) SFH 300-2 (*BP 103 B-2) SFH 300-3 (*BP 103 B-3) SFH 300-41) (*BP 103 B-4) 1) 1) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1189 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4 Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 300 FA (*BP 103 BF) SFH 300 FA-2 (*BP 103 BF-2) SFH 300 FA-3 (*BP 103 BF-3) SFH 300 FA-4 (*BP 103 BF-4) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1193 Q62702-P1192 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 260 Einheit Unit C C Top; Tstg TS TS 300 C VCE IC ICS VEC 35 50 100 7 V mA mA V Semiconductor Group 241 SFH 300 SFH 300 FA Grenzwerte Maximum Ratings (cont'd) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 200 375 Einheit Unit mW K/W Ptot RthJA Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitat, VEC = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 35 V, E = 0 Symbol Symbol SFH 300 S max 850 Wert Value SFH 300 FA 870 nm Einheit Unit 420 ... 1130 730 ... 1120 nm A LxB LxW H 0.12 0.5 x 0.5 4.1 ... 4.7 0.12 0.5 x 0.5 4.1 ... 4.7 mm2 mm x mm mm 25 6.5 5 ( 100) 25 6.5 5 ( 100) Grad deg. pF nA CCE ICEO Semiconductor Group 242 SFH 300 SFH 300 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 300: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 1) 1) Symbol Symbol -2 Wert Value -3 -4 Einheit Unit IPCE IPCE t r, t f 0.63 ... 1.25 3.4 7.5 1 ... 2 5.4 10 1.6 8.6 10 mA mA s VCEsat 130 140 150 mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 243 SFH 300 SFH 300 FA Relative spectral sensitivity, SFH 300 Srel = f () Relative spectral sensitivity, SFH 300 FA Srel = f () Dark current ICEO/ICEO25o = f (TA), VCE = 25 V, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Directional characteristics Srel = f () Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Semiconductor Group 244 |
Price & Availability of SFH300-2
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