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SFH 303 SFH 303 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
SFH 303 SFH 303 FA
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fur Anwendungen im
Features
q Especially suitable for applications from
Bereich von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA) q Hohe Linearitat q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Auch gegurtet und gruppiert lieferbar Anwendungen
q Lichtschranken fur Gleich- und
450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA) q High linearity q 5 mm LED plastic package q Also available on tape and in groups Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln"
Semiconductor Group
1
07.96
feof6351
feo06351
SFH 303 SFH 303 FA
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 303 SFH 303-2 SFH 303-3 SFH 303-41)
1) 1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P957 Q62702-P228 Q62702-P229 Q62702-P230
Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 303 FA (*SFH 303 F) SFH 303 FA-2) (*SFH 303 F) SFH 303 FA-3 (*SFH 303 F-3) SFH 303 FA-4 (*SFH 303 F-41))
Bestellnummer Type (*formerly) Q62702-P958 Q62702-P222 Q62702-P223 Q62702-P224
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Symbol Symbol Wert Value - 55 ... + 100 260 Einheit Unit C C
Top; Tstg TS
TS
300
C
VCE IC ICS VEB
50 50 100 7
V mA mA V
Semiconductor Group
2
SFH 303 SFH 303 FA
Grenzwerte Maximum Ratings (cont'd) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Warmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value 200 375 Einheit Unit mW K/W
Ptot RthJA
Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Symbol Symbol SFH 303 S max 850 Wert Value SFH 303 FA 870 nm Einheit Unit
450 ... 1000 720 ... 1100 nm
A LxB LxW H
0.2 0.65 x 0.65 4.0 ... 4.6
0.2 0.65 x 0.65 4.0 ... 4.6
mm2 mm x mm mm
20
20
Grad deg.
IPCB IPCB
- 15.8
4.5 -
A A
Semiconductor Group
3
SFH 303 SFH 303 FA
Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Kapazitat Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Symbol Symbol SFH 303 Wert Value SFH 303 FA Einheit Unit
CCE CCB CEB ICEO
10 15 21 2 ( 50)
10 15 21 2 ( 50)
pF pF pF nA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 303: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3 Ee = 0.5 mW/cm2 Stromverstarkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
1) 1)
Symbol Symbol -2 -3
Wert Value -4
Einheit Unit
IPCE IPCE tr, tf
1.0 ... 2.0 5.2 11
1.6 ... 3.2 8.4 13
2.5 13.1 15
mA mA s
VCEsat
150
150
150
mV
IPCE IPCB
330
530
830
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
4
SFH 303 SFH 303 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 303 Srel = f ()
Relative spectral sensitivity, SFH 303 FA Srel = f ()
Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter
Dark current ICEO = f (VCE), E = 0
Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Directional characteristics Srel = f ()
Semiconductor Group
5

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Price & Availability of Q62702-P957

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