| PART |
Description |
Maker |
| SML9030-T254 SML9030T254 |
P-Channel MOS Transistor(Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω)(P沟道MOS晶体Vdss:-50V,Id(cont):-18A,Rds(on):0.14Ω))
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Semelab(Magnatec)
TT electronics Semelab Limited
Seme LAB
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| IRF054SMD |
N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：60V的，身份证（续）5A条，的Rds（on）：0.027Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本0V的，身份证（续）5A条，的Rds（on.027Ω））
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SemeLAB
Seme LAB
International Rectifier
http://
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| IRF240SMD |
N.CHANNEL POWER MOSFET
N-Channel Power MOSFET(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)(N沟道功率MOS场效应管(Vdss:200V,Id(cont):13.9A,Rds(on):0.18Ω)) N沟道功率MOSFET（减振钢板基本：200伏，身份证（续）3.9A，的Rds（on）：0.18Ω）（不适用马鞍山沟道功率场效应管（减振钢板基本00伏，身份证（续）3.9A时，RDS（对）：0.18Ω））
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SemeLAB
SEME-LAB[Seme LAB]
Air Cost Control
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| NJU26105 |
AGC/eala BASS/T.cont/PEQ/Vol./HPF / QFP32-R1
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JRC
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| SML50W40 |
N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):40A,Rds(on):0.12惟)(N娌??澧?己??楂???????OS?烘?搴??(Vdss:500V,Id(cont):40A,Rds(on):0.12惟))
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
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SEME-LAB[Seme LAB]
SemeLAB
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| 0541043096 |
0.5 FPC CONN ASSY ZIF SMT RA(BTM CONT) E/O -LEAD FREE-
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Molex Electronics Ltd.
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| APT50M50JLL |
Volts:500V RDS(ON):0.05Ohms ID(cont:)79Amps|MOSFETs 电压00V电压的RDS（ON）：0.05Ohms编号（续：）七九安培| MOSFET
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Microsemi, Corp.
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| APT13GP120B |
Volts:1200V VF/Vce(ON):3.6V ID(cont):13Amps|Ultrafast IGBT Family 电压200伏室的Vceon）：3.6V的身份证（续）：一三安培|超快IGBT的家
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Commonwealth Industrial, Corp.
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| CONT-JA16S 031-50213 SJ010889 |
CONT-JA16S
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Japan Aviation Electronics Industry, Ltd.
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| SIC413CB-T1-E3 SI9175DH-T1 MAX8643 |
Switching Converters, Regulators & Controllers 4.0A 4.75-26V Built-In PWM Cont Learn More
DC/DC Switching Controllers 600mA CMOS PWM/PSM Buck Converter
3A, 2MHz Step-Down Regulator with Integrated Switches 3AMHz、降压型调节器，内置开
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KOA Speer Electronics,Inc.
NXP Semiconductors N.V.
Maxim Integrated Products, Inc.
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