| PART |
Description |
Maker |
| Q62703-Q1095 SFH487-2 Q62703-Q2174 SFH487 |
From old datasheet system
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 镓铝砷红外光Lumineszenzdiode 880nm红外线发射器880镓铝砷纳
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm 3 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
SIEMENS A G
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| SFH485P Q62703-Q516 Q62703-Q2761 Q62703-Q2851 Q627 |
Super SIDELED High-Current LED 超SIDELED高电流LED
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
From old datasheet system
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH7221 SFH7221-Z |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor
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OSA Opto Light GmbH
OSRAM GmbH
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| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH426 SFH421 Q62703-P0331 Q62702-P1055 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，在SMT Geh锓包GaAlA红外发射
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in 3.0 SMT-Gehuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| MRF9180 MRF9180S |
MRF9180, MRF9180S 880 MHz, 170 W, 26 V Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
880 MHz 170 W 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
880 MHz, 170 W, 26 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
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MOTOROLA[Motorola Inc]
MOTOROLA[Motorola, Inc]
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| SFH460 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode
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OSRAM GmbH
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| SFH4110 Q62702P5072 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker)
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OSRAM GmbH
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| SFH4056 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4240 Q65110A7513 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4502 |
(SFH4501 - SFH4503) Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial
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Osram
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