| PART |
Description |
Maker |
| SFH4110 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker)
From old datasheet system
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Infineon
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| SFH420 SFH425 Q62702-P0330 Q62702-P1690 |
Mica Film Capacitor; Capacitance:33pF; Capacitance Tolerance: /- 5 %; Working Voltage, DC:300V
GaAs-IR-Lumineszenzdiode 0.5 in SMT-Gehuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
From old datasheet system
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Siemens Semiconductor G...
SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SFH4552 SFH495P Q62702-P5054 Q62703-Q7891 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
From old datasheet system
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SIEMENS AG
Infineon
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703-Q1031 LD274 Q62703-Q1820 LD274-2 LD274-3 Q6 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 砷化镓红外Lumineszenzdiode砷化镓红外发射器
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| LD271LH LD271 LD271H LD271L |
INFRARD EMITTER
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
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Siemens Group
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62702P5302 Q62702P5303 SFH4881 |
IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Geh?use
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OSRAM GmbH
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| Q65111A0128 SFH4250S |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4550 SFH455012 Q65110A1772 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4056 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2464 Q65110A2975 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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