| PART |
Description |
Maker |
| Q65110A2465 SFH4250 SFH425012 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4236 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4550 SFH455012 Q65110A1772 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| Q62703-Q1090 SFH483E7800 SFH483 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter 发动器，红外Lumineszenzdiode GaAlA红外发射
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| Q62703Q6175 Q62703Q1094 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
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OSRAM GmbH
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| SFH4547 Q65111A1141 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4110 |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker)
From old datasheet system
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Infineon
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| LH-FSLH-S090C-0406A FSLH-S090C |
850 MHz - 950 MHz RF/MICROWAVE SPLITTER AND COMBINER, 1 dB INSERTION LOSS
2012 Size 850/950 MHz Chip Multilayer Splitter/Combiner
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HITACHI METALS LTD
HIROSE[Hirose Electric]
Hirose Electric USA, INC.
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| Q65110A2742 SFH7222 SFH722212 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und grüne GaP-LED (565 nm)
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OSRAM GmbH
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| Q65110A2741 SFH722112 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor
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OSRAM GmbH
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| MA4EXP950M-1277T MA4EXP950M-1277 |
850 MHz - 1050 MHz RF/MICROWAVE DOUBLE BALANCED MIXER, 9.1 dB CONVERSION LOSS-MAX
Silicon Double Balanced HMIC Mixer, 850 - 1050 MHz
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MACOM[Tyco Electronics]
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